項(xiàng)目規(guī)模：1#廠房為已建四層框架層混凝土柱丙類廠房，總長(zhǎng)度約160m，首層層高6.5m，二層5.5m，三層、四層均為4.8m，本次改造僅使用右邊（廠房東面）約80m長(zhǎng)度區(qū)域和1#廠房東側(cè)擴(kuò)建區(qū)域用地722.68㎡。該項(xiàng)目包含廠房?jī)艋脑旃こ毯透臄U(kuò)建工程。

廠房?jī)艋脑旃こ蹋汗菜膶?，其中，一層改造成百?jí)潔凈面積約440m²，千級(jí)潔凈面積約100m²,萬(wàn)級(jí)潔凈區(qū)域約1200m²，其它輔助面積（男女更衣室、U型參觀走廊、衛(wèi)生間、樓梯間及進(jìn)門大廳等）約900m²；二層改造成萬(wàn)級(jí)潔凈區(qū)面積約1000m²，十萬(wàn)級(jí)潔凈區(qū)面積約1000m²，其他為設(shè)備用房；三層建成辦公面積約1400m²，其它區(qū)域及四層區(qū)域作為預(yù)留區(qū)。

擴(kuò)建工程：在1#廠房東側(cè)空置地塊樓外東面增加擴(kuò)建設(shè)備用房，包括PCW、純水、廢水處理、冷凍空壓、變電站、化學(xué)品分配、特氣分配、危廢庫(kù)、廢水池、事故池等。該項(xiàng)目需新增配電建設(shè)3200KVA。

   服務(wù)內(nèi)容：該項(xiàng)目是在已有廠房?jī)?nèi)進(jìn)行凈化裝修改造后，滿足業(yè)主芯片研發(fā)、測(cè)試等需求，達(dá)到年研發(fā)6000片6寸SiC MOSFET的規(guī)模。